人工晶体学报

作者：张利繁, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社

单位：1.太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;；2.太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;；3.陕西科技大学,材料原子和分子科学研究所,西安 710021

关键词：InGaN/GaN,微米阵列,形貌调控,发光性能,多彩发射,MOCVD,

基金：国家自然科学基金(61904120,21972103);山西省重点研发计划(201903D111009)

采用金属有机化学气相外延技术,在图形化蓝宝石衬底上通过选区外延可控生长了三种不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构,阵列尺寸均为6 μm。其中,六方片状阵列结构以(0001)c面为主,高度为0.6 μm;六棱台状阵列结构包括一个(0001)c面和六个等效的(10-11)半极性面,高度为1.2 μm;六棱锥状阵列结构以(10-11)半极性面为主,高度为5 μm。采用微区光致发光光谱仪对InGaN/GaN微米阵列结构进行发光性能表征,结果表明不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构都可实现多波长发射;阴极荧光光谱结果表明六棱台状InGaN/GaN阵列结构不同晶面位置处发射的波长明显不同,这主要是由于表面迁移效应和横向气相扩散导致各个位置的In组分不同。InGaN/GaN微米阵列结构的成功制备对实现多彩发射和新型光电子器件设计具有重要意义。

来源：2021年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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