人工晶体学报

作者：陈王义博, 徐俞, 曹冰, 徐科

单位：1.苏州大学光电科学与工程学院,苏州纳米科技协同创新中心,苏州 215006;；2.江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,苏州 215006;；3.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

关键词：自支撑GaN,侧向外延,氢化物气相外延,宽周期掩膜法,半导体,

基金：国家自然科学基金重点项目(61734008); 国家重点研发计划(2017YFB0404100)

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO2,并用光刻的方法将其制备成高掩膜宽度(窗口宽度20 μm/掩膜宽度280 μm)的宽周期掩膜,再通过氢化物气相外延(HVPE)侧向外延了厚度为325 μm的GaN厚膜,通过胶带可以将其进行剥离形成自支撑衬底。同时通过二维的Wulff结构图研究了GaN生长过程中晶面的变化趋势。宽周期掩膜法对于生长可剥离的低位错密度自支撑GaN有着重大意义。

来源：2021年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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