国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:钱叶铮, 丁凯旋, 余佳俊, 肖少庆
单位:江南大学物联网工程学院电子工程系,无锡 214122
关键词:WS2-MoS2垂直异质结,化学气相沉积,二维材料,光电探测器,范德瓦尔斯力,限域空间,
基金:国家自然科学基金(11704159)
本文主要研究了WS2-MoS2垂直异质结的制备及其光电性能。以氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、硫粉(S)作为反应物,采用改良的一步化学气相沉积法(CVD)实现高质量的WS2-MoS2垂直异质结的制备。使用拉曼光谱仪(Raman)、光致发光光谱仪(PL)、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)等设备,对异质结的形貌、元素组成等进行了表征。最后制备了基于WS2-MoS2异质结的光电探测器,测量了包括输出特性曲线、转移特性曲线、光电流曲线等光电特性。经测试,WS2-MoS2异质结光电探测器在532 nm激光模式下展现了良好的光响应特性,使其能应用于高效率的光电子器件的制备,在微电子学领域具有广阔的应用前景。
来源:2021年第3期
《人工晶体学报》期刊编辑部