声明
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。
国内刊号：11-2637/O7
国际刊号：1000-985X
发布日期:
作者：钟义, 张晋敏, 王立, 贺腾, 肖清泉, 谢泉
单位：贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
关键词：第一性原理,Mn4Si7,掺杂,能带结构,态密度,光学性质,
基金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科学技术基金(黔科合基础1028);贵州大学研究生重点课程(贵大研026);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目 (黔人项目资助合同09)
采用第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料,P掺杂Mn4Si7的带隙值增大为0.839 eV,As掺杂Mn4Si7的带隙值减小为0.752 eV。掺杂使得Mn4Si7的能带结构和态密度向低能方向移动,同时使得介电函数的实数部分在低能区明显增大,虚数部分几乎全部区域增加且8 eV以后趋向于零。此外掺杂还增加了高能区的消光系数、吸收系数、反射系数以及光电导率,明显改善了Mn4Si7的光学性质。
来源：2021年第2期
《人工晶体学报》期刊编辑部
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。