人工晶体学报

作者：胡雪莹, 董海亮, 贾志刚, 张爱琴, 梁建, 许并社

单位：1.太原理工大学,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;；2.太原理工大学轻纺工程学院,太原 030024;；3.太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;；4.陕西科技大学,材料原子分子科学研究所,西安 710021

关键词：GaAs基,高功率,980 nm半导体激光器,应变量子阱结构,转换效率,光电性能,

基金：国家自然科学基金(61904120,21972103,61604104,51672185);国家重点研发计划(2016YFB0401803);山西省基础研究项目(201801D221124,201801D121101,201901D111111,201901D211090,201601D202029);山西省重点研发项目(201803D31042)

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。

来源：2021年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2021年第2期