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国内刊号：11-2637/O7
国际刊号：1000-985X
发布日期:
作者：刘京明, 赵有文
单位：中国科学院半导体研究所,北京 100083
关键词：砷化硼,热导率,化合物半导体,晶体生长,化学气相传输,
立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热点。近年来立方BAs单晶材料的制备取得突破性进展,采用化学气相传输法(CVT)合成了毫米尺寸的高质量单晶,室温下热导率高达1 300 W·m-1·K-1。本文介绍了BAs单晶的性质和生长方法,综述了材料研究进展,阐述了晶体生长面临的技术挑战,并对发展前景进行了展望。
来源：2021年第2期
《人工晶体学报》期刊编辑部
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