国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:魏凯峰, 刘大伟, 倪玉凤, 张婷, 刘军保, 张天杰, 杨露
单位:国家电投集团西安太阳能电力有限公司,西安 710000
关键词:光注入,退火,钝化膜,对称结构,多晶硅,温度,同心圆,
N型隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivating Contacts,TOPCon)太阳能电池完成印刷烧结后,再经过光注入,效率有明显提升,主要表现在Voc(开路电压)及FF(填充因子)的提升。其机理在于通过温度和光照强度调节费米能级变化,控制H总量及价态来提高钝化性能。钝化膜层的质量、硅基体掺杂浓度、光注入退火时的工艺温度等对光注入退火工艺提升效率有很大影响。实验证明转换效率越低的电池片经过光注入后效率提升幅度越大;转换效率越高的电池片缺陷会更小,经过光注入退火工艺后几乎无增益。另外同心圆在经过光注入退火工艺后会明显消除。本文主要研究温度、光强、基体电阻率、正表面金属接触面积大小、poly-Si(多晶硅)厚度对光注入退火工艺增效的影响。
来源:2021年第1期
《人工晶体学报》期刊编辑部