人工晶体学报

作者：蒋洞微, 徐应强, 王国伟, 牛智川

单位：1.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京 100083;；2.中国科学院半导体研究所,锑化物窄带隙半导体研究中心,北京 100083;；3.中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 101408

关键词：InAs/GaSb,二类超晶格,多色红外探测器,量子效率,光学串扰,

基金：国家重点研发计划(2019YFA0705203,2018YFA0209104);国家自然科学基金(62004189);航空科学基金(20182436004, 201924012001)

近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,二类超晶格材料以其具备的带隙可调、暗电流小、量子效率高、材料均匀性高,以及成本低等优越性能,使其逐步成为第三代红外焦平面探测器的优选材料。本文阐述了锑化物窄带隙半导体研究中心的锑化物多色红外探测器研究进展。本团队成功实现了低噪声、高量子效率以及低光学串扰的短/中、短/长、中/长、长/长、中/长/甚长波等多种高性能多色红外探测器研制。

来源：2020年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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