人工晶体学报

作者：柯海鹏, 欧雪雯, 柯少颖

单位：1.福建省漳州第一职业中专学校,漳州 363000;；2.闽南师范大学物理与信息工程学院,漳州 363000

关键词：He离子注入,射程,缺陷空位数,绝缘体上Ge,

基金：国家自然科学基金(62004087);福建省自然科学基金(2020J01815);漳州市自然科学基金(ZZ2020J32);闽南师范大学校长基金(KJ19014)

本文采用以蒙特卡罗方法为基础的SRIM软件模拟He离子注入对Ge中缺陷行为的影响,为高质量GOI(绝缘体上Ge)材料的制备提供理论指导。本文主要模拟了He离子入射角度、能量以及注入剂量对Ge材料损伤程度和溅射产额等的影响。研究表明:入射角度较小时,拖尾效应不明显,有利于避免沟道效应,同时缺陷空位数(DPA)也处于较低水平;能量增大导致离子射程增大,溅射产额减小,离表面越近的Ge中DPA变少,可以实现低DPA GOI材料的制备;离子注入剂量增大导致损伤区域增大且集中,然而更多的He离子聚集在射程附近,能够很好地降低GOI材料的剥离温度。

来源：2020年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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