人工晶体学报

作者：周玄, 程国峰, 何代华

单位：1.上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093;；2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050

关键词：InSeI,金属基硫卤化合物,化学气相传输法,光致发光,禁带宽度,介电性能,

基金：上海市科委科研计划(19DZ2290700);太仓市大院大所创新引领专项(TC2019DYDS01);上海市科技创新技术标准项目(20DZ2205600)

利用化学气相传输法(CVT)制备了InSeI单晶。该晶体为黄色的针状物,晶体较脆。在室温下进行X射线衍射分析发现,其属于四方晶系,晶胞参数为a=b=1.864 3(5) nm,c=1.012 0(3) nm,V=3.517 2 nm3,空间群为I41/a。紫外可见光吸收光谱、光致发光光谱等结果显示该晶体的禁带宽度是2.48 eV,在一定波段光的激发下,InSeI单晶在600 nm左右有较宽的发射峰,表明该晶体的发光方式为缺陷态发光。介电温谱表明InSeI单晶在440 K时其四方相的结构发生了相变。

来源：2020年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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