人工晶体学报

作者：陈云, 蔡厚道

单位：江西科技学院智能工程学院,南昌 330098

关键词：二硫化钼,c-Si,异质结太阳电池,转换效率,二维材料,数值模拟,

基金：江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ180974)

单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化,n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3,p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时,太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响,发现界面态密度超过1011 cm-2·eV-1时会严重影响太阳电池的光伏性能。

来源：2020年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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