人工晶体学报

作者：王付雄, 谢婉谊

单位：1.重庆中科精微科技有限公司,重庆 401329;；2.中国科学院重庆绿色智能技术研究院,重庆 400715;；3.中国科学院大学重庆学院,重庆 400715

关键词：氮化硅,干法刻蚀,各向异性湿法腐蚀,单晶硅,自支撑膜结构,

基金：重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2018jcyjAX0308)

自支撑氮化硅膜结构一般是基于微纳加工技术来制备的。为了提高膜结构的品质,本文分别对自支撑氮化硅膜结构制备中的干法刻蚀参数和各向异性湿法腐蚀参数进行了研究和优化,其中干法刻蚀参数主要包括反应气体配比和刻蚀时间,各向异性湿法腐蚀参数主要包括腐蚀剂浓度和腐蚀温度。在不同的参数组合下进行实验,使用光学显微镜观察并比较不同样品的表面形貌,得到了较理想的参数组合。在干法刻蚀的反应气体中加入少量O2可改善刻蚀效果,反应气体配比V(SF6)∶V(CHF3)∶V(O2)=6∶37∶3,刻蚀时间2 min。湿法腐蚀中腐蚀剂在质量分数25%处达到最大的硅腐蚀速率,同时氮化硅表面形貌也较理想。

来源：2020年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2020年第12期