人工晶体学报

作者：沈波;杨学林;许福军

单位：北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871;北京大学物理学院,北京 100871;量子物质科学协同创新中心,北京 100871;教育部纳光电子前沿科学中心,北京 100871%北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871;北京大学物理学院,北京 100871

关键词：氮化镓;氮化铝;金属有机化学气相沉积(MOCVD);大失配异质外延;宽禁带半导体,

基金：(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金)

以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系.由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备.由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升.本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展.最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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