人工晶体学报

作者：王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛

单位：清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084

关键词：氮化镓;发光二极管;三维结构;无荧光粉白光;效率下降,

基金：(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金)

目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN.其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究.本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理.接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性.最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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