人工晶体学报

作者：李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉

单位：中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥 230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123

关键词：半导体激光器;氮化镓;热退化;In偏析;内部光学损耗;载流子注入效率,

基金：(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金)%(中国博士后科学基金)%(江苏省自然科学基金)

氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求.本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案.在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InGaN/GaN多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法.简要介绍了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)的研究现状.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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