人工晶体学报

作者：任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科

单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123%中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123;苏州纳维科技股份有限公司,苏州 215002

关键词：氮化镓单晶;液相法;氨热法;助熔剂法,

基金：(国家自然科学基金)%(国家重点研发计划)

氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料.除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展.本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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