人工晶体学报

作者：姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义

单位：桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004;北京大学东莞光电研究院,东莞 523808%北京大学东莞光电研究院,东莞 523808%桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004

关键词：氮化镓;单晶衬底;同质外延;氨热法;钠流法,

基金：(国家自然科学基金面上项目)%(广东省重点领域研发计划)%(广东省区域联合基金重点项目)

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表.因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料.采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径.本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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