人工晶体学报

作者：吴峰;戴江南;陈长清

单位：华中科技大学,武汉光电国家研究中心,武汉 430074

关键词：AlGaN;深紫外LED;内量子效率;光提取效率;电光转换效率,

基金：(国家自然科学基金)%(上海市自然科学基金)%(中央高校基本科研业务费专项资金)

深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势,得到了广泛的关注和研究.经过近二十年的研究开发,AlGaN基深紫外LED无论是发光效率和器件寿命都得到了巨大的提升,已逐步开始商业化.然而,相对于GaN基蓝光LED,目前AlGaN基深紫外LED的效率仍旧非常低,还有很大的提升空间.本文首先介绍了深紫外LED的发展现状,并分析了导致器件效率低的原因.然后,分别从内量子效率、光提取效率以及电光转换效率三个方面对目前AlGaN基深紫外LED的研究状况进行了系统的回顾,总结了目前提高发光效率的各种手段和方法.最后对AlGaN基深紫外LED的未来发展进行了展望.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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