人工晶体学报

作者：柏松, 李士颜, 费晨曦, 刘强, 金晓行, 郝凤斌, 黄润华, 杨勇

单位：南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京 210016;国扬电子有限公司,扬州 225100

关键词：碳化硅,功率,金属-氧化物半导体场效应晶体管,高压,比导通电阻,

自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFET的RON,SP从8 mΩ·cm2降低到4.8 mΩ·cm2.与此同时,本课题组采用新一代SiC MOSFET设计和工艺技术研制出6.5 kV、10 kV以及15 kV等高压低导通电阻SiC MOSFET,其中10 kV和15 kV器件的比导通电阻分别为144 mΩ·cm2和204 mΩ·cm2,接近单极型SiC器件的理论极限.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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