人工晶体学报

作者：冯淦, 孙永强, 钱卫宁, 陈志霞

单位：瀚天天成电子科技(厦门)有限公司,厦门 361101

关键词：4H-SiC,宽禁带半导体,外延生长,化学气相沉积,

基金：国家重点研发计划(2016YFB0400403)

4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高.本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展.同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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