人工晶体学报

作者：王艳丰, 王宏兴

单位：西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安 710049;西安交通大学电子与信息学部,宽禁带半导体与量子器件研究所,西安 710049

关键词：金刚石,MPCVD,横向外延,拼接生长,掺杂,二极管,场效应晶体管,探测器,

基金：(国家自然科学基金)%(博士后科学基金)%东莞市创新创业领军人才引进计划

本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望.详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理.研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导.分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积.在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展.通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展.最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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