人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2020年第11期:硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究

发布日期:

作者:袁紫媛, 潘睿, 夏顺吉, 魏炼, 叶佳佳, 李晨, 陈延峰, 芦红

单位:南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093%南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093;江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京 210023

关键词:分子束外延,Si1-xGex合金,硅基锗,Ge量子点,异质外延,界面调控,

基金:(国家重点研发项目)%(国家自然科学基金重点项目)

硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0

来源:2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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