国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:袁紫媛, 潘睿, 夏顺吉, 魏炼, 叶佳佳, 李晨, 陈延峰, 芦红
单位:南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093%南京大学,固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院,南京 210093;江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京 210023
关键词:分子束外延,Si1-xGex合金,硅基锗,Ge量子点,异质外延,界面调控,
基金:(国家重点研发项目)%(国家自然科学基金重点项目)
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0 来源:2020年第11期 《人工晶体学报》期刊编辑部