人工晶体学报

作者：程红娟, 金雷, 武红磊, 齐海涛, 王增华, 史月曾, 张丽

单位：中国电子科技集团有限公司第四十六研究所,天津 300220%深圳大学物理与光电工程学院,深圳 518060

关键词：物理气相传输,表面形貌,台阶流,AlN晶体,同质生长,

基金：国家自然科学基金(51702297)

本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响.当温差为60℃时,AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长.将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂.通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求.

来源：2020年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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