人工晶体学报

作者：石爱红;李源;艾文森

单位：青海民族大学化学化工学院,西宁 810007;青海民族大学能源与动力工程系,西宁 810007;西安交通大学能源与动力工程学院,西安 710049

关键词：碳化硅;动力学蒙特卡罗法;外延生长;晶体生长;岛核密度,

基金：青海省自然科学基金(2018-ZJ-946Q)

用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制.生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响.模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式.当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式.其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加,晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式.最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显.

来源：2020年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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