人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2020年第10期:溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2 ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究

发布日期:

作者:李祥, 王书荣, 廖华, 杨帅, 李新毓, 王亭保, 李晶金, 李秋莲, 刘信

单位:云南师范大学,云南省农村能源工程重点实验室,昆明 650500;云南师范大学,云南省农村能源工程重点实验室,昆明 650500;云南师范大学,云南省光电技术重点实验室,昆明 650500

关键词:CZTSe薄膜,太阳电池,磁控溅射,硒化,光电转换效率,

基金:国家自然科学基金(61941401,U1902218)

采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2 ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层.分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞.同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18;,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33;.

来源:2020年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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