国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:李祥, 王书荣, 廖华, 杨帅, 李新毓, 王亭保, 李晶金, 李秋莲, 刘信
单位:云南师范大学,云南省农村能源工程重点实验室,昆明 650500;云南师范大学,云南省农村能源工程重点实验室,昆明 650500;云南师范大学,云南省光电技术重点实验室,昆明 650500
关键词:CZTSe薄膜,太阳电池,磁控溅射,硒化,光电转换效率,
基金:国家自然科学基金(61941401,U1902218)
采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2 ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层.分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞.同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18;,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33;.
来源:2020年第10期
《人工晶体学报》期刊编辑部