人工晶体学报

作者：徐少丽;张锁怀;候逸群;祝梦洁

单位：上海应用技术大学,上海 201418;上海物理气相沉积(PVD)超硬涂层及装备工程技术研究中心,上海 201418;上海应用技术大学,上海 201418

关键词：WC/TiN界面;第一性原理;结合能;界面能;电子结构;键合,

基金：国家自然科学基金(51475311)

WC(0001)与TiN(111)涂层界面的结合强度取决于其界面性质.本文采用第一性原理讨论WC(0001)与TiN(111)界面的结合能、界面能、电子结构和成键情况.结果表明:(1)在所有考虑的终端界面之中,结合能从大到小依次为C-HCP-Ti界面(9.19 J/m2)、W-OT-Ti界面(4.28 J/m2)、W-OT-N界面(2.98 J/m2).(2)C-HCP-Ti界面存在强共价键,两者结合强度最强.W-OT-Ti界面存在共价键和部分金属键,结合强度次于C-HCP-Ti界面结合强度.对于W-OT-N,其界面结合强度为弱共价键,结合强度相对较弱.(3)在整个ΔμC范围内W-OT-Ti、W-OT-N和C-HCP-Ti三种界面的界面能为负,说明这三种界面具有超高稳定性.

来源：2020年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2020年第10期