人工晶体学报

作者：张天杰;刘大伟;倪玉凤;杨露;魏凯峰;宋志成;林涛

单位：国家电投集团西安太阳能电力有限公司,西安 710100;西安理工大学电子工程系,西安 710048

关键词：晶硅电池;N型;载流子选择接触;氢钝化;掺杂浓度分布,

为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构.分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx:H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析.研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感.随着掺杂浓度分布进入硅基体的"穿透"深度增加,相对应地退火后、SiNx:H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiNx:H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小.通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV.

来源：2020年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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