人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2020年第9期:P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究

发布日期:

作者:刘进;杨平

单位:江苏大学机械工程学院,微纳光电子器件及系统先进制造与可靠性国际实验室,镇江 212000

关键词:ZnO;P掺杂;第一性原理;形成能;Adam算法;神经网络,

利用Adam算法优化后的BP神经网络训练预测P掺杂ZnO后的各体系的缺陷形成能,分析得出最易形成的体系是ZnO:PZn和ZnO:PZn(2VZn)体系,反之是ZnO:PO和ZnO:PZn(1VZn)体系,之后在第一性原理的基础上研究各体系光电特性,分析可知ZnO:PZn体系呈n型导电,带隙0.78 eV,大于本征体系.ZnO:PZn(2VZn)体系呈p型导电,带隙和本征体系相似,电导率与ZnO:PZn体系相近且都远高于ZnO:PZn(1VZn)体系,反射率、吸收率和光透率都优于本征ZnO体系.

来源:2020年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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