人工晶体学报

作者：陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬

单位：中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999

关键词：红外非线性光学材料;SrCdGeSe4单晶;坩埚下降法;单晶生长;性质表征,

基金：中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005)

锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为φ27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8 ×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值.结果 显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8",该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～ 14 μm波长范围内透过率超过68;;另外,晶体在Nd∶ YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2.

来源：2020年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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