人工晶体学报

作者：何诺天;唐慧丽;刘波;张浩;朱智超;赵衡煜;徐军

单位：同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;同济大学化学科学与工程学院,上海200092;同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;上海蓝宝石晶体工程研究中心,上海200092

关键词：氧化镓;Ge掺杂;发光性能;快衰减,

基金：(Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai );(Equipment Pre-research Fund Key Project )

采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响.透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶ β-Ga2O3晶体光学带隙增大.在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶ β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快.

来源：2020年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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