人工晶体学报

作者：马英俊;林泉;于洪国;马会超;许兴;李万朋;许所成

单位：有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001

关键词：砷化镓;水平布里奇曼法;位错密度;熔区长度;窄熔区技术;载流子浓度分布,

GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污.

来源：2020年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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