人工晶体学报

作者：姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科

单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000;中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000

关键词：氮化镓;氨热法;籽晶表面处理;化学机械抛光,

基金：国家自然科学基金(61574162,61604169)

籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多.为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高.本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了两种籽晶氨热生长后晶体表面、生长速率、结晶质量、应力状况.光学显微镜表明两种籽晶生长后晶体的表面具有相似的丘状表面.氨热法生长速率较慢,化学机械抛光籽晶生长速率略高于粗磨籽晶.X射线单晶衍射(XRD) (002)和(102)的摇摆曲线半高宽显示抛光籽晶与粗磨籽晶生长得到GaN结晶质量基本一致.Raman E2(high)频移表明抛光籽晶生长的GaN晶体接近无应力状态,粗磨籽晶生长的晶体存在较小的压应力.

来源：2020年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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