国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:茅艳琳;左然
单位:江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013
关键词:MOCVD;AlN;行星式反应器;气相反应;数值模拟,
基金:国家自然科学基会(61474058)
针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高.在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善.当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善.
来源:2020年第7期
《人工晶体学报》期刊编辑部