人工晶体学报

作者：兰伟豪;徐阳;张永川;蒋平英;司美菊;刘娅;卢丹丹;何西良

单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆,400060

关键词：压电薄膜;AlScN薄膜;磁控溅射;机电耦合系数;薄膜体声波谐振器,

薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜.本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜.对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6;,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调.制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53;.在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义.

来源：2020年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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