国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬
单位:中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;四川省新材料研究中心,成都 610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621999
关键词:中红外激光晶体;Dy:PbGa2S4单晶;竖直梯度冷凝法;晶体生长,
基金:中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目
镝掺杂硫镓铅(Dy:PbGa2S4,Dy:PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料.为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy:PGS单晶.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy:PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy:PbGa2S4单晶,尺寸达到φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy:PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础.
来源:2020年第5期
《人工晶体学报》期刊编辑部