人工晶体学报

作者：付斯年;李聪;朱瑞华;郑友进

单位：牡丹江师范学院物理系,黑龙江省新型碳基功能与超硬材料重点实验室, 牡丹江 157011

关键词：Na掺杂ZnO;第一性原理;形成能;电子结构,

基金：黑龙江省教育厅一般项目(1353MSYYB016);牡丹江师范学院项目(GP201605)

通过第一性原理,对Na掺杂(NaZn)与Zn空位(VZn)及Na掺杂与O空位(VO)共存的ZnO体系的形成能、电子结构及磁性机理进行了研究.结果表明,Na原子与空位(VZn或VO)空间位置最近时,掺杂体系的形成能最低;与诱导VZn相比,Na掺杂在ZnO体系中更易诱导VO,并且过量的Na掺杂必然导致VO的形成.另外,磁性研究发现,Na掺杂与空位(VZn或VO)共存的体系都具有磁性.并且Na掺杂与VZn共存的ZnO体系磁性源于VZn的本征缺陷,而Na掺杂与VO共存的ZnO体系的磁性源于Na原子与VO的电子关联交互作用.

来源：2020年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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