国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:靳果;朱清智
单位:河南工业职业技术学院机电自动化学院,南阳 473000;西北大学,西安 710069;河南工业职业技术学院机电自动化学院,南阳,473000
关键词:生长基底;衬底温度;厚度;掺杂浓度;AM1.5测试;AFORS-HET仿真,
基金:国家自然科学基金(51275084);2019年南阳市科技计划项目(KJGG078)
为了提高GaSb热光伏电池的转换效率,在电池结构中引入p+-GaSb窗口层,研究了生长基底、衬底温度和反应物源温度对p+-GaSb薄膜性能的影响,并优化了电池结构中p+-GaSb窗口层的厚度和掺杂浓度.实验结果表明,生长基底和温度等制备参数影响着p+-GaSb薄膜的结构特性和电学特性,而且,较薄的高掺杂p+-GaSb层有利于提高电池性能.通过测试和仿真,热光伏电池的转换效率达到9.49;(AM1.5测试)和20.34;(AFORS-HET仿真).
来源:2020年第4期
《人工晶体学报》期刊编辑部