人工晶体学报

作者：兰天平;边义午;周春锋;宋禹

单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220

关键词：砷化镓;垂直梯度凝固法;半绝缘;晶体生长;EL2,

基金：国防科工局进口替代专项

为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(V GF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率＞1×108Ω·cm及迁移率＞5×103 cm2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性.

来源：2020年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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