人工晶体学报

作者：何海英, 冯秋浴, 陈宇, 杨至灏

单位：佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院, 佛山 528000;广东省柔性电子材料和印刷电子技术工程研究中心,佛山 528000;佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院,佛山,528000

关键词：SnO2,Mg-N共掺杂,第一性原理,电子结构,

基金：国家自然科学基金(11747090)

基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能.Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at;、2.08at;,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂.Mg单受主掺杂SnO2时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO2时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型.

来源：2020年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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