人工晶体学报

作者：万金玉, 刘怡飞, 李雪娇

单位：泉州医学高等专科学校,泉州,362000;福建医科大学附属第二医院,泉州,362000;中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800

关键词：第一性原理,二氧化钒,态密度,

基金：福建省自然科学基金计划(2019J01474);泉州市科技计划(2018N121S)

二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变.第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56;、3.13;、4.69;的原子浓度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69;的浓度掺杂VO2的带隙Eg1最小(0.349 eV).在C、N、F掺杂M1相VO2体系中,3.13;的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13;的N原子掺杂VO2可以在实际中应用.

来源：2020年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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