人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2020年第2期:气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展

发布日期:

作者:景宝堂;钟敏;袁文宾;张宇峰

单位:渤海大学新能源学院,锦州 121013;辽宁省光电功能材料与检测重点实验室,锦州 121013;渤海大学新能源学院,锦州,121013

关键词:气相输运沉积;近空间气相输运沉积;化合物薄膜,

基金:国家自然科学基金(61575029,61474009)

相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport,CVT)方法,近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition,CSVT)及气相输运沉积(Vapor Transport Deposition,VTD)方法不为人们所熟知.近几年来,气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2 Se3、Sb2 S3及Sb2(Se,S)3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2 Se3、Bi2 Te3)等材料的制备,有可能成为一种重要的材料制备方法.本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜制备的研究进展,对其特点进行分析,并对其发展趋势进行了展望.

来源:2020年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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