人工晶体学报

作者：谢杰;张晋敏;冯磊;潘王衡;王立;贺腾;陈茜;肖清泉;谢泉

单位：贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

关键词：第一性原理;Mn4Si7;电子结构;光学性质,

基金：贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028);贵州大学研究生重点课程项目(贵大研ZDKC[2015]026);国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015);贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09)

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn4 Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV.掺杂使得Mn4 Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄.计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加.

来源：2020年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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