人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2019年第11期:热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响

发布日期:

作者:郭会师;李文凤;高振禄;马丽君;桂阳海

单位:郑州轻工业大学材料与化学工程学院,郑州,450001;河南工业大学材料科学与工程学院,郑州,450001

关键词:热处理温度;SiC纳米材料;物相组成;显微结构;发光性能,

基金:国家自然科学基金青年基金(51802290);河南省重点科技攻关项目(182102210613,172102210223);郑州轻工业大学博士科研基金(2017BSJJ041);郑州轻工业大学星空众创空间孵化项目(2018ZCKJ402)

采用碳热还原法,以单质Si粉和活性炭为原料,Fe2 O3为添加剂,研究了还原气氛下热处理温度(1200~1700℃)对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响.结果 表明:不同热处理温度下,单质Si粉和活性炭均可反应生成SiC纳米材料,但当热处理温度为1200℃和1300℃时,二者反应不完全;当热处理温度由1400℃增至1700℃时,单质Si粉和活性炭的反应增强,并在1600℃热处理后完全转化为SiC,其形貌由棒状和颗粒状的混合体转化为单一的短棒状,进而又发育为纤维状.此外,不同热处理温度下获得的SiC纳米材料均具有较宽的发射带宽,经1600℃热处理后SiC纳米材料的发光性能较优,其发光峰强度优于其它热处理温度下的产物,这是因为此温度下所获SiC纳米材料呈纤维状,其长径比较高,有利于发光性能的改善所致.

来源:2019年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2019年第11期

联系我们

  • 地址:北京市朝阳区东坝红松园1号
  • 电话:010-65491290
  • E-mail:jtxbbjb@126.com

咨询工作人员