人工晶体学报

作者：任国强, 王建峰, 刘宗亮, 蔡德敏, 苏旭军, 徐科

单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;苏州纳维科技有限公司,苏州,215002;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;苏州纳维科技有限公司,苏州215002

关键词：氮化镓单晶,氢化物气相外延,氨热法,助熔剂法,

基金：国家自然科学基金(61574162,61604169);国家重点研发计划项目(2017YFB0404100)

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望.

来源：2019年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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