人工晶体学报

作者：燕子翔;李腾坤;苏旭军;高晓冬;任国强;徐科

单位：中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215000

关键词：GaN晶体;氨热法;应力调控,

基金：国家自然科学基金(61574162,61604169)

采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹.用拉曼光谱测量GaN晶体的E2 (high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大.通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(102)的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入.

来源：2019年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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