人工晶体学报

作者：孟猛;祁强;丁栋舟;赫崇君;施俊杰;任国浩

单位：中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;南京航空航天大学航天学院,南京 211106;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049;中国科学院海西创新研究院,福州 350002;南京航空航天大学航天学院,南京,211106

关键词：闪烁晶体;掺杂;GAGG;光输出;能量分辨率,

基金：中国科学院关键技术人才项目(Y74YQ3130G);中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目(Y74ZC5152G);海西研究院自主部署项目(FJCXY18040202)

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点.本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向.

来源：2019年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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