国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:樊子冉;孔洋洋;李宇豪;李志;贾婷婷
单位:武汉工程大学,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430205;中国科学院深圳先进技术研究院,深圳市纳米调控与生物力学重点实验室,深圳518055;中国科学院深圳先进技术研究院,深圳市纳米调控与生物力学重点实验室,深圳518055;新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046;中国科学院深圳先进技术研究院,深圳市纳米调控与生物力学重点实验室,深圳518055
关键词:二维材料;材料制备;材料表征;光电子器件;微电子器件,
基金:深圳市科技创新委员会(JCYJ20170413152832151,JCYJ20170307165829951,JCYJ20170818163902553);国家自然科学基金(51702351)
二硫化钼由于具有合适的层间间距、间隙可调、较高的机械强度、比较稳定的化学性质等,引起了国内外科研人员的高度重视,成为下一代光电子器件的理想材料.它被广泛应用于各种领域,如太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管、传感器、存储器等.本文综述了二硫化钼的最新进展,主要包括二硫化钼的晶体结构、能带结构和光学性质,介绍了二硫化钼的制备方法,总结了表征二硫化钼结构的方法,归纳了层状二硫化钼在光电子器件以及微电子器件等领域的制备与应用,最后提出了该研究领域的挑战与机遇.
来源:2019年第7期
《人工晶体学报》期刊编辑部