人工晶体学报

作者：杨帆;王美琪;关卫省

单位：长安大学环境科学与工程学院,旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室,西安710054

关键词：Ⅲ族氮化物;半导体纳米材料;制备方法;应用,

基金：国家自然基金面上项目(41472220);陕西省自然科学基金(2017JM2014)

随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台.综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结.

来源：2019年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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