人工晶体学报

作者：李康;李鹏坤;熊庭辉;孙姝婧;陈晨龙

单位：中国科学院福建物质结构研究所,中科院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002;中国科学院大学,北京100049;中国科学院福建物质结构研究所,中科院光电材料化学与物理重点实验室,福州350002

关键词：ZnGa2O4纳米线;化学气相沉积法;光致发光;蓝宝石衬底,

基金：福建省“百人计划”(第四批)项目;国家自然科学基金(61774158);福建省自然科学基金(2018J01110)

使用一种简单的化学气相沉积法成功地在c面蓝宝石衬底上外延生长了整齐排列的ZnGa2O4单晶纳米线.研究了在不同生长温度和生长压力下外延生长ZnGa2O4纳米线,并使用XRD,SEM和TEM对产物进行了表征.结果 表明,在生长条件为980℃和100 Torr时,可以外延生长出整齐排列的ZnGa2O4纳米线.所制备的ZnGa2O4纳米线直径为60 ～ 150 nm,并遵循Au催化的VLS生长机制沿其四个结晶学方向在蓝宝石上外延生长.分析了纳米线沿四个方向生长的原因,并对纳米线的光致发光性能进行了探讨.

来源：2019年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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