人工晶体学报

作者：熊智慧;肖飞;杨辉;张敏;曾体贤

单位：成都师范学院物理与工程技术学院,成都 611130;西华师范大学物理与空间科学学院,南充 637002;西华师范大学物理与空间科学学院,南充,637002

关键词：CdSe;纳米晶薄膜;光敏特性,

基金：国家自然科学基金(U1731123);教育部春晖计划(Z2016122);西华师范大学英才科研基金(17YC499)

硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体.采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征.结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显.

来源：2019年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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